写入放大 （ 英语： Write amplification ，简称 WA ）是 闪存 和 固态硬盘 （SSD）中一种不良的现象，即实际写入的物理数据量是写入数据量的多倍。 由于闪存在可重新写入数据前必须先擦除，而擦除操作的粒度与写入操作相比低得多 [a] ，执行这些操作就会多次移动（或改写）用户数据和 元数据 。因此，要改写数据，就需要读取闪存某些已使用的部分，更新它们，并写入到新的位置，如果新位置在之前已使被用过，还需连同先擦除；由于闪存的这种工作方式，必须擦除改写的闪存部分比新数据实际需要的大得多。此倍增效应会增加请求写入的次数，缩短SSD的寿命，从而减小SSD能可靠运行的时间。增加的写入也会消耗闪存的 带宽 ，此主要降低SSD的随机写入性能 [1] [3] 。许多因素会影响SSD的写入放大，一些可以由用户来控制，而另一些则是数据写入和SSD使用的直接结果。 在2008年， 英特尔 [4] 和 SiliconSystems （2009年为 西部数据 所收购） [5] 首先在他们的论文和出版物使用了术语“写入放大”。写入放大通常用闪存的写入与主机系统的写入之比来衡量。没有开启 数据压缩 时，写入放大不小于1。在使用压缩的情况下， SandForce 声称他们的典型写入放大达到了0.5 [6] ，而在最佳情况下，使用SF-2281控制器，此值能低至0.14 [7] 。 目录 1 SSD基本操作 2 计算数值 3 影响因素 4 垃圾回收 4.1 后台垃圾回收 4.2 文件系统感知垃圾回收 5 预留空间 6 TRIM 6.1 限制和依赖 7 空闲用户容量 8 安全擦除 9 耗损均衡 10 静动数据分离 11 顺序写入 12 随机写入 13 对性能的影响 14 产品声明 15 参见 16 注释 17 参考 18 外部链接 SSD基本操作 [ 编辑 ] 参见： 闪存 和 固态硬盘 NAND闪存以每页4 KB写入数据，以每块256 KB擦除数据 [2] 。 由于闪存操作的性质，数据不能像在 硬盘 中那样直接 覆写 。当首次向SSD写入数据时， 单元 都处于已擦除状态，因而数据可以直接写入，一次一 页 （大小通常为4至8 千字节 （KB））。SSD中管理闪存与主控系统 接口 的